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CSR-03BJ#2023#已更新

   日期:2022-11-28     来源:线路测控装置    作者:综合保护装置    浏览:3    
核心提示:BSP-9109#2023#已更新-压综合保护装置 -压线路距离保护装置 线路测控装置 线路综合保护测控装置 馈线保护测控装置 母联保护测控装置 两卷变压器差动保护装置 三卷变压器保护装置 变压器后备保护装置 变压器后备保护测控装置 变压器测控装置 低压变压器保护测控装置 变压器本体保护装置 电容器保护测控装置 电压互感器监测装置 电压切换装置 电动机保护测控装置 发电机差动保护装置 发电机后备保护装置 发电机测控装置 发电机转子接地保护装置 备用电源自投装置 公用测控装置

CSR-03BJ#2023#已更新CSR-03BJ#2023#已更新产品通过型式试验西-所、沈-所、苏-所等,产品可靠性试验报告,矿用产品安标中心,煤安认证,变压器试验,CQC试验。安全生产重庆矿用设备检测检验中心,安全生产太原矿用设备检测检验中心,安全生产上海矿用设备检测检验中心,煤科院检测中心,北京煤科院检测中心,辽宁煤科院检测中心,上海煤科院检测中心,重庆煤科院检测中心,煤科院检验分析中心,西安煤科院液压钻机,CCC认证。  

DPV-31A

IHD530CSR-03BJ#2023#已更新

CSC-241E

GKP181

STS361C

NSD640

NSA3181G

NSR695RF-D01CSR-03BJ#2023#已更新

PSP641UD

PDS-732A

PDS-754

SEC-181

HY5WZ-100/260复合外套无间隙金属氧化物避雷器CSR-03BJ#2023#已更新

只能用在低压领域,开关频率-,损耗低,IGBT结合了BJT和MOS的优点,耐-压性能较强,开关频率低于MOSFET,损耗较-,SiCMOSFET具有较-的击穿电场强度,比传统SiMOSFET更耐-压,同时拥有更-的开关频率和下降的通态电阻。

CDQ3R-63/4C 50A

AT29P

AB6600B

HZ-9074

CD194D-1X1CSR-03BJ#2023#已更新

E22005

CXMQ3-63 3P

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SLB983C#2023#已更新:https://www.shuxianbiao.cn/news/show-188485.html

 
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